WD Black SN850 M.2 NVMe SSD-Test: Top-Tier-Speicher für Gamer und Profis
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Mit seiner hochmodernen PCIe Gen4-Leistung und einer Kapazität von bis zu 2 TB ist der Black SN850 von WD ein Biest einer SSD, die mit dem 980 PRO von Samsung um die beste SSD konkurriert. Wenn Sie das Geld haben, ist es eine gute Wahl für Gamer und Enthusiasten, die erstklassigen, hochwertigen Speicher suchen.
Die Black-Produktlinie von WD hat sich im Laufe der Jahre stark angepasst. Bei der mechanischen Festplattenlinie des Unternehmens bedeutete Schwarz traditionell kompromisslose Leistung und Zuverlässigkeit. Bei den SSDs des Unternehmens liegt der Schwerpunkt der schwarzen Produktlinie von WD jedoch vor allem auf dem Spielen. Dies bedeutet jedoch nicht, dass das Unternehmen diejenigen vergessen hat, die für ihre Anwendungen konsistenten Prosumer-Speicher benötigen.
Der letzte WD Black SN750 war ein Kraftpaket zum Schreiben von Daten mit einer anhaltenden Schreibgeschwindigkeit, die fast jede andere SSD neidisch machen konnte. Damit eignet er sich perfekt für Video-Editoren und diejenigen, die häufig große Datenmengen verschieben. Bei den meisten unserer Anwendungsbenchmarks blieb die Leseleistung jedoch hinter der Konkurrenz zurück. Der neue WD Black SN850 soll diesmal eine viel bessere Darstellung bieten, wobei der Schwerpunkt des Unternehmens auf der Optimierung der Lesegeschwindigkeit der neuen SSD sowie auf der Verbesserung der bereits starken Schreibgeschwindigkeit liegt.
Spezifikationen
| Produkt | Schwarz SN850 500GB | Schwarz SN850 1 TB | Schwarz SN850 2 TB |
|---|---|---|---|
| Preisgestaltung | 149,99 $ | 229,99 $ | 449,99 $ |
| Kapazität (Benutzer / Raw) | 500 GB / 512 GB | 1000 GB / 1024 GB | 2000 GB / 2048 GB |
| Formfaktor | M.2 2280 | M.2 2280 | M.2 2280 |
| Schnittstelle / Protokoll | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 |
| Regler | WD_BLACK G2 | WD_BLACK G2 | WD_BLACK G2 |
| DRAM | DDR4 | DDR4 | DDR4 |
| Erinnerung | BiCS4 96L DC | BiCS4 96L DC | BiCS4 96L DC |
| Sequentielles Lesen | 7.000 MBit / s | 7.000 MBit / s | 7.000 MBit / s |
| Sequentielles Schreiben | 4.100 MBit / s | 5.300 MBit / s | 5.100 MBit / s |
| Zufälliges Lesen | 800.000 IOPS | 1.000.000 IOPS | 1.000.000 IOPS |
| Zufälliges Schreiben | 570.000 IOPS | 720.000 IOPS | 710.000 IOPS |
| Ausdauer (TBW) | 300 TB | 600 TB | 1.200 TB |
| Artikelnummer | WDS500G1X0E | WDS100T1X0E | WDS200T1X0E |
| Garantie | 5 Jahre | 5 Jahre | 5 Jahre |
Mit einer sequenziellen Spitzenleistung von bis zu 7 / 5,3 GBit / s sequentiellem Lese- / Schreibdurchsatz und mehr als 1.000.000 / 720.000 zufälligen Lese- / Schreib-IOPS bietet der WD Black SN850 über die PCIe 4.0 x4 NVMe 1.4-Schnittstelle eine erstklassige Leistung. Der Black SN850 von WD ist mit Kapazitäten von 500 GB, 1 TB und 2 TB erhältlich. Die Straßenpreise liegen bei 150, 230 und 450 US-Dollar pro Kapazität. Wenn Sie das Modell mit einem Kühlkörper haben möchten, kostet es zusätzlich 20 US-Dollar.
Der Black SN850 von WD verfügt über eine überarbeitete SLC-Caching-Implementierung, nCache 4.0. Es wird jetzt mit einem Hybrid-SLC-Caching geliefert, das dem TurboWrite von Samsung ähnelt, jedoch eine größere Kapazität aufweist, ähnlich wie wir es von SSDs gewohnt sind, die mit den neuesten Controllern von Phison betrieben werden. Die gesamte dynamische SLC-Kapazität umfasst ungefähr ein Drittel der verfügbaren Kapazität (300 GB in unserem 1-TB-Beispiel) mit einem kleinen und schnell wiederherstellbaren statischen SLC-Cache (12 GB in unserem 1-TB-Beispiel), der für höchste Leistung und Ausdauer ausgelegt ist.
Mit einer LDPC-ECC-Engine (Low-Density Parity-Check) mit mehreren Gängen, RAID-ähnlichem Schutz für die vollständige Wiederherstellung mehrerer Seiten, internem SRAM-ECC und End-to-End-Datenpfadschutz in seinem ECC-Schema sowie dem Unternehmensüberschuss Der Black SN850 von WD bietet eine SSD von 9% und ist mit zahlreichen Mechanismen ausgestattet, um sicherzustellen, dass Ihre Daten im Flash sicher sind. WD gewährt auf den Black SN850 eine fünfjährige Garantie und bewertet ihn für bis zu 300 TB Schreibvorgänge pro 500 GB Kapazität oder bis zu 1,2 TB Schreibvorgänge für das 2-TB-Modell.
Wir konnten das schwarze SN850 von WD schnell und sicher löschen, indem wir ein sicheres Löschen aus dem UEFI des Asus X570 Crosshair VIII Hero (WiFi) -Mutterboards initiierten. Obwohl es das sichere Löschen unterstützt, fehlt der SSD eine mittlerweile übliche Sicherheitsfunktion, die Samsung seit Jahren auf seinen Laufwerken unterstützt – die hardwarebeschleunigte AES 256-Bit-Volllaufwerkverschlüsselung. Der Black SN850 unterstützt sowohl Trim- und SMART-Datenberichte als auch Active State Power Management (ASPM), Autonomous Power State Transition (APST) und den PCIe L1.2-Energiezustand für geringen Stromverbrauch im Leerlauf auf mobilen Plattformen (nur Zeichnen) <5 mW.
Software & Zubehör
WD unterstützt den Black SN850 mit WD Dashboard, der SSD-Toolbox des Unternehmens, die Analysetools, einen Firmware-Updater und eine RGB-Beleuchtungssteuerung für das Kühlkörpermodell enthält. WD bietet Kunden auch Acronis True Image WD Edition zum Klonen und zur Datensicherung.
Eine genauere Betrachtung
WD ist sehr knapp, wenn es darum geht, Informationen über die Hardware des Black SN850 preiszugeben, und hat bei Fragen nicht viele Details über den Controller der nächsten Generation preisgegeben. Trotzdem konnten wir einige Dinge anhand der Fetzen und Krümel ableiten, die uns gegeben wurden.
Aus unserer externen Analyse geht hervor, dass das Laufwerk aufgrund der Größe des 17-fachen Controller-Pakets einen einseitigen Formfaktor M.2 2280 mit einem NVMe-Flash-Controller, einem DRAM-Chip und nur zwei Flash-Paketen aufweist 17 mm, nimmt den größten Teil des Leiterplattenplatzes ein.
Für die Stromversorgung der SSD verwendet WD einen proprietären armbasierten 8-Kanal-PCIe 4.0 x4 NVMe-SSD-Controller mit mehreren Kernen, der einen Micron DDR4-DRAM-Chip nutzt, um eine reaktionsschnelle Leistung zu erzielen. WD bezeichnet die Steuerung als WD_BLACK G2. Die Ausstattung des WD Black SN850 mit einem schnelleren Gen4 PHY ist hervorragend für die Leistung, aber bei solch einer schnellen Bandbreite waren Stromverbrauch und Wärmeabgabe bei 28 nm ein Problem. Wie die Steuerungen konkurrierender Hersteller entschied sich WD daher, WD_BLACK G2 auf einem neueren Prozessknoten aufzubauen, um diese Variablen mit der 16-nm-FinFET-Technologie von TSMC besser steuern zu können.
WD hat den Controller der zweiten Generation mit dem neueren Kioxia BiCS4 96L TLC-Blitz des Unternehmens gekoppelt, der mit Toggle DDR3.0-Geschwindigkeiten von 800 MTps arbeitet. Sowohl das 500-GB- als auch das 1-TB-Modell nutzen 256-GB-Chips, während das 2-TB-Modell 512-GB-Chips nutzt. Dieser Blitz verfügt über zwei Ebenen (Regionen mit unabhängigem Zugriff) für eine bessere Leistung als nur eine einzelne Ebene. Er ist jedoch nicht ganz so schnell wie der Quad-Plane-BiCS5 112L-Blitz der nächsten Generation des Unternehmens, den wir nächstes Jahr häufiger einsetzen werden. Der neue Flash hat die doppelte Leistung zusammen mit einer CUA-Implementierung (Circuit Under Array).
Im Gegensatz zu BiCS3 ist der BiCS4-Blitz nicht nur dank eines stringbasierten Startvorspannungsregelungsschemas und intelligenten Vt-Trackings für verbesserte Lesevorgänge schneller, sondern hat auch den Vorteil einer verbesserten Effizienz gegenüber seinem Vorgänger mit einem Sense-Verstärker mit niedriger Vorladung Busschema und schlürft nur 1,2 V statt 1,8 V. Der schwarze SN850 von WD nutzt die geradzahlige Zeilendecodierung und die abgeschirmte BL-Stromerfassung mit diesem Blitz, um auch den Lesedurchsatz zu verbessern.
Um den Blitz auf neue Höhen zu skalieren, umfasst der Herstellungsprozess das Stapeln von zwei 48-Wortzeilen-Layer-Arrays übereinander. Während dies ein einfacher Weg ist, um die Größe des Zellenarrays zu erhöhen, resultieren Ineffizienzen aus zusätzlichen Schaltkreisen und verschwendeten Dummy-Schichten. Gleichzeitig besteht das Risiko einer geringen Ausbeute aufgrund von Stapelfehlausrichtungen. Das Skalieren von bis zu 96 Wortzeilenebenen bedeutet die Verwendung von insgesamt 109 Ebenen, einschließlich Dummy-Gates und Selektoren in diesem Fall. Dies ist weniger effizient als das V-NAND von Samsung, das das Stapeln von Zeichenfolgen in bis zu 128 Weltlinienebenen (136 insgesamt) noch nicht wirksam eingesetzt hat Schichten).
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